A kwanakin nan, Samsung yana shirye-shiryen fara kera ƙwaƙwalwar ajiyar UFS 2.0 NAND Flash mai saurin gaske wanda yake shirin amfani da shi a cikin flagship ɗin sa na gaba, Samsung. Galaxy S6. Har ya zuwa yanzu, an yi amfani da fasahar ƙwaƙwalwar ajiyar eMMC NAND Flash, wadda ta iya cimma saurin canja wuri na 400 MB/s. Koyaya, godiya ga sabuwar fasahar UFS ta ƙarni na biyu, ƙwaƙwalwar ajiya za ta kasance a cikin wayoyi Galaxy S6 yana iya kaiwa ga saurin canja wuri har zuwa 1.2 GB/s, watau saurin sau uku mafi girma.
Wannan ba shakka za a nuna a cikin canja wurin manyan fayiloli, kamar canja wurin bidiyo na 4K ta amfani da haɗin LTE-A. Bugu da kari, idan aka kwatanta da eMMC 5.0, fasahar tana ba da ƙarancin amfani da kashi 50%, wanda ke da tasiri mai kyau akan rayuwar baturi na sabuwar wayar. Hakanan Samsung yana shirin yin amfani da fasahar a cikin katunan SD da microSD, kuma da alama ya riga ya yi aiki tuƙuru akansa. Babban abokin hamayyar China na Samsung, Xiaomi, shi ma yana shirin amfani da UFS Flash memory, kuma da alama Toshima, Hynix da Micron za su nuna sha'awar sa. Bugu da kari, godiya ga fasahar UFS, Samsung za a tilasta yin amfani da microUSB 3.0 tashar jiragen ruwa idan yana so ya yi amfani da saurin canja wuri lokacin canja wurin fayiloli daga kwamfuta zuwa wayar hannu da akasin haka.
var sklikData = {elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190};
var sklikData = {elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190};
*Madogararsa: ETNews
